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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)
Thorlabs摻鉺單模和大模場(chǎng)光纖

Thorlabs摻鉺單模和大模場(chǎng)光纖

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 更新時(shí)間:2023-12-19
  • 產(chǎn)品介紹:Thorlabs摻鉺單模和大模場(chǎng)光纖。Liekki™摻鉺光纖是適用于泵浦波長(zhǎng)為980 nm或者1480 nm、發(fā)射波長(zhǎng)在C和L通訊波段(分別是1530 - 1565 nm或1565 - 1625 nm)的單模大模場(chǎng)光纖。MetroGain™摻鉺單模光纖具有高摻雜濃度,適用于長(zhǎng)度較短的設(shè)備,發(fā)射波長(zhǎng)也在C和L波段。
  • 廠商性質(zhì):代理商
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產(chǎn)品介紹

品牌Thorlabs價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域電子

Thorlabs摻鉺單模和大模場(chǎng)光纖

 

Thorlabs摻鉺單模和大模場(chǎng)光纖特性

摻鉺光纖,發(fā)射波段在1530 - 1610 nm

提供纖芯泵浦單模光纖和大模場(chǎng)光纖

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Ø125 µm包層直徑,易于操作,熔接和制作終端

Thorlabs提供兩類摻鉺有源光纖。Liekki™摻鉺光纖是適用于泵浦波長(zhǎng)為980 nm或者1480 nm、發(fā)射波長(zhǎng)在C和L通訊波段(分別是1530 - 1565 nm或1565 - 1625 nm)的單模大模場(chǎng)光纖。MetroGain™摻鉺單模光纖具有高摻雜濃度,適用于長(zhǎng)度較短的設(shè)備,發(fā)射波長(zhǎng)也在C和L波段。

 

 

Item #

Type

Peak Core
 Absorption

Pump
 Type

MFD
 (at 1550 nm)

Cladding
 Diameter

ER30-4/125

SMa

30 ± 3 dB/mc

Core

6.5 ± 0.5 μm

125 ± 2 μm

ER110-4/125

110 ± 10 dB/mc

ER16-8/125

LMAb

16 ± 3 dB/mc

9.5 ± 0.8 μm

ER80-8/125

8 ± 8 dB/mc

M5-980-125

SMa

4.5 - 5.5 dB/md

5.4 - 7.1 dB/me

5.5 - 6.3 µm

125 ± 1 μm

M12-980-125

11.0 - 13.0 dB/md

16.0 - 20.0 dB/me

5.7 - 6.6 µm

單模

大模場(chǎng)面積

在1530 nm測(cè)量

在980 nm測(cè)量

在1531 nm測(cè)量

 

Active Fibers Selection Guide

Ytterbium-Doped SM and LMA

Ytterbium-Doped PM

Erbium-Doped SM and LMA

 

Liekki摻鉺單模和大模場(chǎng)面積有源光纖

 

 

Item #

ER30-4/125

ER110-4/125

ER16-8/125

ER80-8/125

Peak Core Absorption @ 1530 nm

30 ± 3 dB/m

110 ± 10 dB/m

16 ± 3 dB/m

8 ± 8 dB/m

MFD

6.5 ± 0.5 μm

6.5 ± 0.5 μm

9.5 ± 0.8 μm

9.5 ± 0.8 μm

Numerical Aperture (NA, Nominal)

0.2

0.2

0.13

0.13

Cut-Off Wavelength

890 ± 90 nm

890 ± 90 nm

1100 - 1400 nm

1250 ± 150 nm

Cladding Diameter

125 ± 2 μm

125 ± 2 μm

125 ± 2 μm

125 ± 2 μm

Cladding Geometry

Round

Round

Round

Round

Coating (Second Cladding) Diameter

245 ± 15 μm

245 ± 15 μm

245 ± 15 μm

245 ± 15 μm

Coating Material

High Index Acrylate

High Index Acrylate

High Index Acrylate

High Index Acrylate

Core Concentricity Error

< 0.7 μm

< 0.7 μm

< 0.7 μm

< 0.7 μm

Proof Test

>1%

>1%

>100 kpsi

>1%

Core Index

Proprietarya

Cladding Index

Proprietarya

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Fibercore MetroGain摻鉺單模有源光纖

Item #

M5-980-125

M12-980-125

MFD (Nominal)

5.5 - 6.3 µm at 1550 nm

5.7 - 6.6 µm at 1550 nm

Emission Wavelength

C-Band
 (1530 - 1565 nm)

L-Band
 (1565 - 1625 nm)

Core Absorption @ 980 nm

4.5 - 5.5 dB/m

11.0 - 13.0 dB/m

Core Absorption @ 1531 nm

5.4 - 7.1 dB/m

16.0 - 20.0 dB/m

Core Numerical Aperture (NA, Nominal)

0.21 - 0.24

0.21 - 0.24

Cut-Off Wavelength

900 - 970 nm

900 - 970 nm

Cladding Diameter

125 ± 1 μm

125 ± 1 μm

Cladding Geometry

Round

Round

Coating Diameter (Nominal)

245 ± 15 μm

245 ± 15 μm

Coating Material

Dual Acrylate

Dual Acrylate

Background Loss

< 10 dB/km

< 20 dB/km

Core Concentricity Error

≤0.5 μm

≤0.5 μm

Proof Test

1% (100 kpsi)

Core Index

Proprietarya

Cladding Index

Proprietarya

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摻鉺光纖吸收?qǐng)D

 


    對(duì)摻鉺光纖ER30-4/125(長(zhǎng)約5米)和ER80-8/125(長(zhǎng)約1米)進(jìn)行了群延遲、色散和差分群延遲檢測(cè)。結(jié)果如下。

    群延遲

    以下是ER30-4/125和ER80-8/125摻鉺光纖在三種不同的泵浦功率下群延遲(GD)關(guān)于波長(zhǎng)的函數(shù)曲線。群延遲的概念是信號(hào)(例如,調(diào)制波前的特殊點(diǎn))中的信息傳輸光學(xué)路徑長(zhǎng)度所需要的時(shí)間。

     

    色散

    以下是ER30-4/125和ER80-8/125摻鉺光纖在三種不同的泵浦功率下色散(CD)關(guān)于波長(zhǎng)的函數(shù)曲線。色散是群延遲與波長(zhǎng)關(guān)系圖的局部坡度。

    差分群延遲

    以下是摻光纖ER30-4/125和ER80-8/125在三種不同的泵浦功率下差分群延遲(DGD)關(guān)于波長(zhǎng)的函數(shù)曲線。差分群延遲被定義為所有偏振態(tài)的大群延遲變化。

      損傷閥值

      激光誘導(dǎo)的光纖損傷

      以下教程詳述了無終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機(jī)制,包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時(shí))的損傷機(jī)制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機(jī)制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如,接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機(jī)制的小值的限制。

      雖然可以使用比例關(guān)系和一般規(guī)則估算損傷閾值,但是,光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應(yīng)用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南,估算大程度降低損傷風(fēng)險(xiǎn)的安全功率水平。如果遵守了所有恰當(dāng)?shù)闹苽浜瓦m用性指導(dǎo),用戶應(yīng)該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件;如果有元件并未大功率,用戶應(yīng)該遵守下面描述的"實(shí)際安全水平"該,以安全操作相關(guān)元件??赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括,但不限于,光纖耦合時(shí)未對(duì)準(zhǔn)、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關(guān)于特定應(yīng)用中光纖功率適用能力的深入討論,請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持techsupport-cn@thorlabs.com。

       

      Quick Links

      Damage at the Air / Glass Interface

      Intrinsic Damage Threshold

      Preparation and Handling of Optical Fibers

       

      空氣-玻璃界面的損傷

      空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時(shí),光會(huì)入射到這個(gè)界面。如果光的強(qiáng)度很高,就會(huì)降低功率的適用性,并給光纖造成性損傷。而對(duì)于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言,高強(qiáng)度的光產(chǎn)生的熱量會(huì)使環(huán)氧樹脂熔化,進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。

       

      損傷的光纖端面

        未損傷的光纖端面

        裸纖端面的損傷機(jī)制

        光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件,紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同,與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小,耦合單模(SM)光纖時(shí)尤其如此,因此,對(duì)于給定的功率密度,入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。

        右表列出了兩種光功率密度閾值:一種理論損傷閾值,一種"實(shí)際安全水平"。一般而言,理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下,可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。而"實(shí)際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險(xiǎn)。超過實(shí)際安全水平操作光纖或元件也是有可以的,但用戶必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說明,并在使用前在低功率下驗(yàn)證性能。

        計(jì)算單模光纖和多模光纖的有效面積

        單模光纖的有效面積是通過模場(chǎng)直徑(MFD)定義的,它是光通過光纖的橫截面積,包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時(shí),入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD,才能達(dá)到良好的耦合效率。

        例如,SM400單模光纖在400 nm下工作的模場(chǎng)直徑(MFD)大約是Ø3 µm,而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來計(jì)算:

        SM400 Fiber: Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
        SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2

        為了估算光纖端面適用的功率水平,將功率密度乘以有效面積。請(qǐng)注意,該計(jì)算假設(shè)的是光束具有均勻的強(qiáng)度分布,但其實(shí),單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀,使得光束中心的密度比邊緣處更高,因此,這些計(jì)算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對(duì)應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源,通過估算的功率密度,就可以確定對(duì)應(yīng)的功率水平:

        SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)

        7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實(shí)際安全水平)

        SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
        8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實(shí)際安全水平)

        多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定,一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果,Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大,降低了光纖端面的功率密度,因此,較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無損傷地耦合到多模光纖中。

         

        Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea

        Type

        Theoretical Damage Thresholdb

        Practical Safe Levelc

        CW(Average Power)

        ~1 MW/cm2

        ~250 kW/cm2

        10 ns Pulsed(Peak Power)

        ~5 GW/cm2

        ~1 GW/cm2

         

        所有值針對(duì)無終端(裸露)的石英光纖,適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。

        這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前,必須驗(yàn)證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性,因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。

        這是在大多數(shù)工作條件下,入射到光纖端面且不會(huì)損傷光纖的安全功率密度估算值。

        插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制

        有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時(shí),沒有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會(huì)散射到光纖的外層,再進(jìn)入插芯中,而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強(qiáng),就可以熔化環(huán)氧樹脂,使其氣化,并在接頭表面留下殘?jiān)?。這樣,光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點(diǎn),造成耦合效率降低,散射增加,進(jìn)而出現(xiàn)損傷。

        與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長(zhǎng),出于以下幾個(gè)原因。一般而言,短波長(zhǎng)的光比長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射更強(qiáng)。由于短波長(zhǎng)單模光纖的MFD較小,且產(chǎn)生更多的散射光,則耦合時(shí)的偏移也更大。

        為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風(fēng)險(xiǎn),可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)的接頭。

        曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實(shí)線表示)。

        確定具有多種損傷機(jī)制的功率適用性

        光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如,光纖跳線),而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。

        例如,右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學(xué)接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長(zhǎng)下適用的總功率受到在任一給定波長(zhǎng)下,兩種限制之中的較小值限制(由實(shí)線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍(lán)色實(shí)線),而在1550
        nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實(shí)線)。

        對(duì)于多模光纖,有效模場(chǎng)由纖芯直徑確定,一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的有效模場(chǎng)。因此,其光纖端面上的功率密度更低,較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變,這樣,多模光纖的大適用功率就會(huì)受到插芯和接頭終端的限制。

        請(qǐng)注意,曲線上的值只是在合理的操作和對(duì)準(zhǔn)步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是,光纖經(jīng)常在超過上述功率水平的條件下使用。不過,這樣的應(yīng)用一般需要專業(yè)用戶,并在使用之前以較低的功率進(jìn)行測(cè)試,盡量降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。但即使如此,如果在較高的功率水平下使用,則這些光纖元件應(yīng)該被看作實(shí)驗(yàn)室消耗品。

        光纖內(nèi)的損傷閾值

        除了空氣玻璃界面的損傷機(jī)制外,光纖本身的損傷機(jī)制也會(huì)限制光纖使用的功率水平。這些限制會(huì)影響所有的光纖組件,因?yàn)樗鼈兇嬖谟诠饫w本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。

        彎曲損耗

        光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會(huì)使其無法全反射,光在某個(gè)區(qū)域就會(huì)射出光纖,這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高,會(huì)燒壞光纖涂覆層和周圍的松套管。

        有一種叫做雙包層的特種光纖,允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo),從而降低彎折損傷的風(fēng)險(xiǎn)。通過使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角,射出纖芯的光就會(huì)被限制在包層內(nèi)。這些光會(huì)在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個(gè)局部點(diǎn)漏出,從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷售0.22 NA雙包層多模光纖,它們能將適用功率提升百萬瓦的范圍。

        光暗化

        光纖內(nèi)的第二種損傷機(jī)制稱為光暗化或負(fù)感現(xiàn)象,一般發(fā)生在紫外或短波長(zhǎng)可見光,尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長(zhǎng)下工作的光纖隨著曝光時(shí)間增加,衰減也會(huì)增加。引起光暗化的原因大部分未可知,但可以采取一些列措施來緩解。例如,研究發(fā)現(xiàn),羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化,其它摻雜物比如氟,也能減少光暗化。

        即使采取了上述措施,所有光纖在用于紫外光或短波長(zhǎng)光時(shí)還是會(huì)有光暗化產(chǎn)生,因此用于這些波長(zhǎng)下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。

        制備和處理光纖

        通用清潔和操作指南

        建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對(duì)于具體的產(chǎn)品,用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊(cè)中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E,損傷閾值的計(jì)算才會(huì)適用。

        安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源,以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。

        光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前,一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的,沒有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外,如果是裸纖,使用前應(yīng)該剪切,用戶應(yīng)該檢查光纖末端,確保切面質(zhì)量良好。

        如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng),用戶先應(yīng)該在低功率下驗(yàn)證熔接的質(zhì)量良好,然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差,會(huì)增加光在熔接界面的散射,從而成為光纖損傷的來源。

        對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時(shí),用戶應(yīng)該使用低功率;這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭,有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。

        高功率下使用光纖的注意事項(xiàng)

        一般而言,光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作,但在理想的條件下(佳的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面),光纖元件適用的功率可能會(huì)增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗(yàn)證光纖的性能和穩(wěn)定性,然后再提高輸入或輸出功率,遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項(xiàng)是一些有用的建議,有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。

        要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對(duì)準(zhǔn)步驟也是重要的。在對(duì)準(zhǔn)過程中,在取得佳耦合前,光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時(shí),會(huì)發(fā)生散射引起損傷

        使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中,可以增大適用的功率,因?yàn)樗梢源蟪潭鹊販p少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來制備,并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射,或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域,從而損傷光纖。

        連接光纖或組件之后,應(yīng)該在低功率下使用光源測(cè)試并對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率,同時(shí)周期性地驗(yàn)證所有組件對(duì)準(zhǔn)良好,耦合效率相對(duì)光學(xué)耦合功率沒有變化。

        由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時(shí),大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出,從而在局部形成產(chǎn)生高熱量,進(jìn)而損傷光纖。請(qǐng)?jiān)诓僮鬟^程中不要破壞或突然彎曲光纖,以盡可能地減少?gòu)澢鷵p耗。

        用戶應(yīng)該針對(duì)給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如,大模場(chǎng)光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用,因?yàn)榍罢呖梢蕴峁└训墓馐|(zhì)量,更大的MFD,且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。

        階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用,因?yàn)檫@些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。

         

        Liekki™摻鉺單模光纖和大模場(chǎng)光纖

        針對(duì)于發(fā)射波長(zhǎng)從1530到1610 nm,泵浦波長(zhǎng)為980 nm和1480 nm

        幾何特性使雙折射效應(yīng)很低,并且有出色的熔接特性

        對(duì)于泵浦激光單模光纖的典型熔接損耗小于0.1 dB

        對(duì)于SMF-28e+光纖的典型熔接損耗小于0.15 dB

        應(yīng)用

        C-和L-波段密集波分復(fù)用、Metro、有線電視和無源光網(wǎng)絡(luò)

        受激自發(fā)輻射來源

        連續(xù)和脈沖激光器和放大器

        Liekki高摻鉺光纖適用于從1530到1610 nm波長(zhǎng)區(qū)域(C和L波段)的光纖激光器和放大器。這些光纖覆蓋了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,從通訊放大器(摻鉺光纖放大器)到高功率無源光網(wǎng)絡(luò)/有線電視助推器,以及用于儀表、工業(yè)、醫(yī)療的超短脈沖放大器。這些高摻雜的的光纖具有標(biāo)準(zhǔn)的Ø125µm的包層直徑。

         

        Key  Features

        ER30-4/125

        Extremely high, >50% conversion
         efficiency in the L band

        ER110-4/125

        Extremely high doping concentration  for short
         device length and reduced nonlinearity

        ER16-8/125

        Good spliceability, power conversion efficiency,
         and spectral reproducibility

        ER80-8/125

        For 980 nm pumps with emission at  1550 nm.
         Large core and good spliceability.

           

           

          Item #

          Type

          Peak Core Absorption
           at 1530 nm

          Mode Field Diameter
           at 1550 nm

          Cladding
           Diameter

          Coating
           Diameter

          Core NA
           (Nominal)

          Cut-Off
           Wavelength

          Core
           Index

          Cladding
           Index

          ER30-4/125

          Single Mode

          30 ± 3 dB/m

          6.5 ± 0.5 µm

          125 ± 2 µm

          245 ± 15 µm

          0.2

          800 - 980 nm

          Proprietarya

          Proprietarya

          ER110-4/125

          110 ± 10 dB/m

          ER16-8/125

          Large Mode Area

          16 ± 3 dB/m

          9.5 ± 0.8 µm

          0.13

          1100 - 1400 nm

          ER80-8/125

          80 ± 8 dB/m

          很遺憾,這個(gè)信息我們已申請(qǐng)zhuan利,因而無法提供。

           

          產(chǎn)品型號(hào)

          公英制通用

          ER30-4/125

          摻鉺單模光纖,30 dB/m@1530 nm,0.2 NA,標(biāo)準(zhǔn)類

          ER110-4/125

          摻鉺單模光纖,110 dB/m@1530 nm,0.2 NA,實(shí)驗(yàn)類

          ER16-8/125

          摻鉺大模場(chǎng)光纖,16 dB/m@1530 nm,0.13 NA,實(shí)驗(yàn)類

          ER80-8/125

          摻鉺大模場(chǎng)光纖,80 dB/m@1530 nm,0.13NA,實(shí)驗(yàn)類

           

          MetroGain™摻鉺單模光纖

          針對(duì)泵浦光波長(zhǎng)為980 nm和1480 nm,發(fā)射波長(zhǎng)為C或L波段(1530 - 1565 nm或1565 - 1625 nm)

          高吸收,可用于窄增益界面或短激光腔

          MetroGain摻鉺光纖對(duì)于發(fā)射波長(zhǎng)在C和L通訊波段進(jìn)行優(yōu)化。M5-980-125光纖在泵浦功率為1480納米的高功率C波段(1530-1565 nm)處非常有效。M12-980-125針對(duì)泵浦光為980 nm的L波段進(jìn)行優(yōu)化。與傳統(tǒng)的工作在L波段摻鉺光纖相比,它的高吸收允許更短的有源光纖長(zhǎng)度。

          這些光纖在光纖摻雜區(qū)對(duì)泵浦光給出了很好的模場(chǎng)重疊,而且依然保持出色的拼接特性。MetroGain光纖的高吸收使得它們成為光纖激光器和ASE光源的理想選擇。對(duì)于光纖激光器來說,可實(shí)現(xiàn)極短波長(zhǎng),從而使得脈沖畸變小化。

          應(yīng)用

          C-和L-波段光纖放大器

          ASE光源

           

             

             

            Item #

            Type

            Emission
             Wavelength

            Absorption

            MFD @ 1550 nm
             (Nominal)

            Cladding
             Diameter

            Coating Diameter
             (Nominal)

            Core NA

            Cut-Off
             Wavelength

            Core/Cladding
             Index

            M5-980-125

            Single Mode

            C-Band

            4.5 - 5.5 dB/m @ 980 nm
             5.4 - 7.1 dB/m @ 1531 nm

            5.5 - 6.3 µm

            125 ± 1 µm

            245 ± 15 µm

            0.21 - 0.24

            900 - 970 nm

            Proprietarya

            M12-980-125

            L-Band

            11.0 - 13.0 dB/m @ 980 nm
             16.0 - 20.0 dB/m @ 1531 nm

            5.7 - 6.6 µm

            很遺憾,本信息我們已申請(qǐng)zhuan利,因而無法提供。

             

            產(chǎn)品型號(hào)

            公英制通用

            M5-980-125

            摻鉺單模C波段光纖,吸收率為5 dB/m @ 980 nm

            M12-980-125

            摻鉺單模L波段光纖,吸收率為12 dB/m@980納米

             

             

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